FDC658AP
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| モデル | FDC658AP |
|---|---|
| メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 説明 | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.069 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | FDC658AP | メーカー | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 271552 pcs | データシート | FDC658AP |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SuperSOT™-6 | シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50 mOhm @ 4A, 10V | 電力消費（最大） | 1.6W (Ta) |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 他の名前 | FDC658APTR | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 30 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 470pF @ 15V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.1nC @ 5V |
| FETタイプ | P-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 詳細な説明 | P-Channel 30V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Ta) |
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