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FDI030N06

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モデル FDI030N06
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 37371 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$2.082$1.858$1.524$1.234$1.041

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モデル FDI030N06 メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 37371 pcs データシート FDI030N06
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK (TO-262) シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 3.2 mOhm @ 75A, 10V 電力消費(最大) 231W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 9815pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 151nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
詳細な説明 N-Channel 60V 120A (Tc) 231W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120A (Tc)

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