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FDS6900AS

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モデル FDS6900AS
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 119365 pcs
価格
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$0.177

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モデル FDS6900AS メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 119365 pcs データシート FDS6900AS
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO シリーズ PowerTrench®, SyncFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 27 mOhm @ 6.9A, 10V 電力 - 最大 900mW
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前 FDS6900AS-ND
FDS6900ASTR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 34 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 600pF @ 15V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 15nC @ 10V
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V 詳細な説明 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A, 8.2A 900mW Surface Mount 8-SO
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.9A, 8.2A

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