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NTMS4101PR2

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モデル NTMS4101PR2
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
In Stock 162871 pcs
価格
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$0.145

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モデル NTMS4101PR2 メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
株式 162871 pcs データシート NTMS4101P
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 450mV @ 250µA
Vgs(最大) ±8V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V 電力消費(最大) 1.38W (Tj)
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前 NTMS4101PR2OS 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3200pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 32nC @ 4.5V FETタイプ P-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20V 詳細な説明 P-Channel 20V 6.9A (Ta) 1.38W (Tj) Surface Mount 8-SOIC
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.9A (Ta)

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