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RFD8P05

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モデル RFD8P05
メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
In Stock 4556 pcs
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モデル RFD8P05 メーカー AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明 MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
株式 4556 pcs データシート RFD8P05/SM, RFP8P05
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-251AA シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 300 mOhm @ 8A, 10V 電力消費(最大) 48W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 80nC @ 20V FETタイプ P-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 50V 詳細な説明 P-Channel 50V 8A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251AA
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8A (Tc)

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