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ALD212900PAL

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モデル ALD212900PAL
メーカー Advanced Linear Devices, Inc.
説明 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 47928 pcs
価格
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モデル ALD212900PAL メーカー Advanced Linear Devices, Inc.
説明 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 47928 pcs データシート ALD212900/A
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 20mV @ 20µA
サプライヤデバイスパッケージ 8-PDIP シリーズ EPAD®, Zero Threshold™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 14 Ohm 電力 - 最大 500mW
パッケージング Tube パッケージ/ケース 8-DIP (0.300", 7.62mm)
他の名前 1014-1212 運転温度 0°C ~ 70°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 8 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 30pF @ 5V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs -
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 10.6V 詳細な説明 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 80mA

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