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CDBDSC8650-G

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モデル CDBDSC8650-G
メーカー Comchip Technology
説明 DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 54696 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs80 pcs160 pcs
$1.238$1.105$0.994$0.906
320 pcs560 pcs1040 pcs2560 pcs
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モデル CDBDSC8650-G メーカー Comchip Technology
説明 DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 54696 pcs データシート CDBDSC8650-G
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.7V @ 8A
電圧 - 逆(VR)(最大) 650V サプライヤデバイスパッケージ D-PAK (TO-252)
速度 No Recovery Time > 500mA (Io) シリーズ -
逆回復時間(trrの) 0ns パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前 641-1932 動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 16 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky 詳細な説明 Diode Silicon Carbide Schottky 650V 25.5A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252)
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 100µA @ 650V 電流 - 平均整流(イオ​​) 25.5A (DC)
Vrと、F @キャパシタンス 550pF @ 0V, 1MHz

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