CDBGBSC101200-G
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| モデル | CDBGBSC101200-G |
|---|---|
| メーカー | Comchip Technology |
| 説明 | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1020 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.485 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | CDBGBSC101200-G | メーカー | Comchip Technology |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 14865 pcs | データシート | CDBGBSC101200-G |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7V @ 5A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200V | サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 0ns | パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 詳細な説明 | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 18A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100µA @ 1200V | 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 18A (DC) |
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