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CDBJFSC3650-G

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モデル CDBJFSC3650-G
メーカー Comchip Technology
説明 DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 78137 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs50 pcs100 pcs250 pcs
$0.675$0.608$0.543$0.489$0.434
500 pcs1000 pcs2500 pcs5000 pcs 
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モデル CDBJFSC3650-G メーカー Comchip Technology
説明 DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 78137 pcs データシート CDBJFSC3650-G
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.7V @ 3A
電圧 - 逆(VR)(最大) 650V サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
速度 No Recovery Time > 500mA (Io) シリーズ -
逆回復時間(trrの) 0ns パッケージ/ケース TO-220-2 Full Pack
他の名前 641-1935 動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 16 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky 詳細な説明 Diode Silicon Carbide Schottky 650V 3A (DC) Through Hole TO-220F
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 100µA @ 650V 電流 - 平均整流(イオ​​) 3A (DC)
Vrと、F @キャパシタンス 190pF @ 0V, 1MHz

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