DMG4N65CT
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| モデル | DMG4N65CT |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 説明 | MOSFET N CH 650V 4A TO220-3 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード線付き/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.456 | $0.364 | $0.319 | $0.247 | $0.195 | |
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | DMG4N65CT | メーカー | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N CH 650V 4A TO220-3 | フリーステータス/ RoHS状態 | リード線付き/ RoHS準拠 |
| 株式 | 106097 pcs | データシート | DMG4N65CT |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3 Ohm @ 2A, 10V | 電力消費（最大） | 2.19W (Ta) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 他の名前 | DMG4N65CTDI | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 900pF @ 25V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650V |
| 詳細な説明 | N-Channel 650V 4A (Tc) 2.19W (Ta) Through Hole TO-220-3 | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) |
- 関連製品
- 関連ニュース
関連製品
- モデル:
DMG4N60SK3-13 - メーカー:
Diodes Incorporated - 説明:
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T& - 株式:
146515
