DMN2016UTS-13
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| モデル | DMN2016UTS-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.259 | $0.219 | $0.164 | $0.12 | $0.093 | |
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | DMN2016UTS-13 | メーカー | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 237070 pcs | データシート | DMN2016UTS |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V | 電力 - 最大 | 880mW |
| パッケージング | Cut Tape (CT) | パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 他の名前 | DMN2016UTS-13DICT | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1495pF @ 10V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.5nC @ 4.5V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 8.58A 880mW Surface Mount 8-TSSOP |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.58A | ベース部品番号 | DMN2016U |
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