HTMN5130SSD-13
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| モデル | HTMN5130SSD-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.368 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | HTMN5130SSD-13 | メーカー | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 96239 pcs | データシート | HTMN5130SSD |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 130 mOhm @ 3A, 10V | 電力 - 最大 | 1.7W |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 他の名前 | HTMN5130SSD-13DI HTMN5130SSD-13DI-ND HTMN5130SSD-13DITR |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 218.7pF @ 25V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.9nC @ 10V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) | FET特長 | Standard |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55V | 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.6A |
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