MBR20060CT
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| モデル | MBR20060CT |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 説明 | DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 25 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $17.789 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | MBR20060CT | メーカー | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 1812 pcs | データシート | Twin Tower Pkg DrawingMBR20045CT ~ 200100CTR |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 750mV @ 100A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 60V | サプライヤデバイスパッケージ | Twin Tower |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) | シリーズ | - |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | Twin Tower |
| 他の名前 | MBR20060CTGN | 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 4 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | ダイオードタイプ | Schottky |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 詳細な説明 | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5mA @ 20V | 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 200A (DC) |
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