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70T633S10BFG

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モデル 70T633S10BFG
メーカー IDT (Integrated Device Technology)
説明 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 5034 pcs
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モデル 70T633S10BFG メーカー IDT (Integrated Device Technology)
説明 IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 5034 pcs データシート IDT70T633/1S
プロダクト 集積回路 (ic) 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 10ns
電源電圧 - 2.4 V ~ 2.6 V 技術 SRAM - Dual Port, Asynchronous
サプライヤデバイスパッケージ 208-CABGA (15x15) シリーズ -
パッケージング Tray パッケージ/ケース 208-LFBGA
他の名前 IDT70T633S10BFG
IDT70T633S10BFG-ND
運転温度 0°C ~ 70°C (TA)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 3 (168 Hours)
メモリタイプ Volatile 記憶容量 9Mb (512K x 18)
メモリインタフェース Parallel メモリ形式 SRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 詳細な説明 SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
ベース部品番号 IDT70T633 アクセス時間 10ns

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