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70V659S10BF

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モデル 70V659S10BF
メーカー IDT (Integrated Device Technology)
説明 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
In Stock 831 pcs
価格
(US $)
14 pcs
$45.207

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$45.207

Product parameter

モデル 70V659S10BF メーカー IDT (Integrated Device Technology)
説明 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
株式 831 pcs データシート IDT SuffixesIDT70V659/58/57S
プロダクト 集積回路 (ic) 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 10ns
電源電圧 - 3.15 V ~ 3.45 V 技術 SRAM - Dual Port, Asynchronous
サプライヤデバイスパッケージ 208-CABGA (15x15) シリーズ -
パッケージング Tray パッケージ/ケース 208-LFBGA
他の名前 IDT70V659S10BF
IDT70V659S10BF-ND
運転温度 0°C ~ 70°C (TA)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 3 (168 Hours)
メモリタイプ Volatile 記憶容量 4.5Mb (128K x 36)
メモリインタフェース Parallel メモリ形式 SRAM
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant
詳細な説明 SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15) ベース部品番号 IDT70V659
アクセス時間 10ns

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