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IXFN26N100P

IXFN26N100P
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モデル IXFN26N100P
メーカー IXYS Corporation
説明 MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 2350 pcs
価格
(US $)
10 pcs
$13.617

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$13.617

Product parameter

モデル IXFN26N100P メーカー IXYS Corporation
説明 MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 2350 pcs データシート IXFN26N100P
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 6.5V @ 1mA
Vgs(最大) ±30V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B シリーズ Polar™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 390 mOhm @ 13A, 10V 電力消費(最大) 595W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 24 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 11900pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 197nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 1000V 詳細な説明 N-Channel 1000V 23A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 23A (Tc)

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