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IXFN66N85X

IXFN66N85X
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モデル IXFN66N85X
メーカー IXYS Corporation
説明 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 3531 pcs
価格
(US $)
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モデル IXFN66N85X メーカー IXYS Corporation
説明 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 3531 pcs データシート IXFN66N85X
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 5.5V @ 8mA
Vgs(最大) ±30V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B シリーズ HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 65 mOhm @ 33A, 10V 電力消費(最大) 830W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 24 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 8900pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 230nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 850V 詳細な説明 N-Channel 850V 65A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 65A (Tc)

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  • モデル:IXFN55N50F
  • メーカー:IXYS RF
  • 説明:MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
  • 株式:3478
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