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IXFN90N30

IXFN90N30
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モデル IXFN90N30
メーカー IXYS Corporation
説明 MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 3329 pcs
価格
(US $)
10 pcs
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モデル IXFN90N30 メーカー IXYS Corporation
説明 MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 3329 pcs データシート IXFN90N30
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 8mA
Vgs(最大) ±20V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B シリーズ HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 33 mOhm @ 45A, 10V 電力消費(最大) 560W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 24 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 10000pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 360nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 300V 詳細な説明 N-Channel 300V 90A (Tc) 560W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 90A (Tc)

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