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IXFP20N85X

IXFP20N85X
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モデル IXFP20N85X
メーカー IXYS Corporation
説明 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 23944 pcs
価格
(US $)
1 pcs50 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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モデル IXFP20N85X メーカー IXYS Corporation
説明 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 23944 pcs データシート IXFx20N85X
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 5.5V @ 2.5mA
Vgs(最大) ±30V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB シリーズ HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 330 mOhm @ 500mA, 10V 電力消費(最大) 540W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-220-3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 24 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1660pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 63nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 850V 詳細な説明 N-Channel 850V 20A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Tc)

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