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IXFP34N65X2

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モデル IXFP34N65X2
メーカー IXYS Corporation
説明 MOSFET N-CH 650V 34A TO-220
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 31238 pcs
価格
(US $)
1 pcs50 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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モデル IXFP34N65X2 メーカー IXYS Corporation
説明 MOSFET N-CH 650V 34A TO-220 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 31238 pcs データシート IXFx34N65X2
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 5.5V @ 2.5mA
Vgs(最大) ±30V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB シリーズ HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 105 mOhm @ 17A, 10V 電力消費(最大) 540W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-220-3
他の名前 IXFP34N65X2X
IXFP34N65X2X-ND
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 24 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3330pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 56nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 650V
詳細な説明 N-Channel 650V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-220AB 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 34A (Tc)

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