IXTM35N30

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| モデル | IXTM35N30 |
|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation |
| 説明 | POWER MOSFET TO-3 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 (US $) | Get a quote | ||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | IXTM35N30 | メーカー | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | POWER MOSFET TO-3 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 4252 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
| Vgs(最大) | ±20V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-204AE | シリーズ | GigaMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 100 mOhm @ 17.5A, 10V | 電力消費(最大) | 300W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-204AE | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4600pF @ 25V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 220nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 300V | 詳細な説明 | N-Channel 300V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 35A (Tc) |
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