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IXTP7N60P

IXTP7N60P
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モデル IXTP7N60P
メーカー IXYS Corporation
説明 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 47007 pcs
価格
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Product parameter

モデル IXTP7N60P メーカー IXYS Corporation
説明 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 47007 pcs データシート IXT(A,P)7N60P
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 5.5V @ 100µA
Vgs(最大) ±30V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB シリーズ PolarHV™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V 電力消費(最大) 150W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-220-3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1080pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 20nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 7A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7A (Tc)

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