IXDI602SITR
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| モデル | IXDI602SITR |
|---|---|
| メーカー | IXYS Integrated Circuits Division |
| 説明 | 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.341 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | IXDI602SITR | メーカー | IXYS Integrated Circuits Division |
|---|---|---|---|
| 説明 | 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 62855 pcs | データシート | IXDx602 |
| プロダクト | 集積回路 (ic) | 電源電圧 - | 4.5 V ~ 35 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC-EP | シリーズ | - |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 7.5ns, 6.5ns | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力周波数 | 2 | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 7 Weeks |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 3V | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力タイプ | Inverting | ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 駆動構成 | Low-Side | 詳細な説明 | Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 2A, 2A | ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent |
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