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IXFX21N100F

IXFX21N100F
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モデル IXFX21N100F
メーカー IXYS RF
説明 MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 4428 pcs
価格
(US $)
1 pcs30 pcs120 pcs
$8.69$7.387$6.865

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モデル IXFX21N100F メーカー IXYS RF
説明 MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 4428 pcs データシート IXFK21N100F, IXFX21N100F
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 5.5V @ 4mA
Vgs(最大) ±20V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PLUS247™-3 シリーズ HiPerRF™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 500 mOhm @ 10.5A, 10V 電力消費(最大) 500W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-247-3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 14 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5500pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 160nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 1000V 詳細な説明 N-Channel 1000V 21A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 21A (Tc)

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  • メーカー:IXYS
  • 説明:MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
  • 株式:5593
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