DTD114ESTP
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| モデル | DTD114ESTP |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Semiconductor |
| 説明 | TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | DTD114ESTP | メーカー | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 4147 pcs | データシート | DTD114E(K,S) |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 50V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 300mV @ 2.5mA, 50mA | トランジスタ型式 | NPN - Pre-Biased |
| サプライヤデバイスパッケージ | SPT | シリーズ | - |
| 抵抗器ベース（R2） | 10 kOhms | 抵抗器 - ベース（R1） | 10 kOhms |
| 電力 - 最大 | 300mW | パッケージング | Tape & Box (TB) |
| パッケージ/ケース | SC-72 Formed Leads | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション | 200MHz | 詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 56 @ 50mA, 5V | 電流 - コレクタ遮断（最大） | 500nA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 500mA | ベース部品番号 | DTD114 |
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