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EMD59T2R

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モデル EMD59T2R
メーカー LAPIS Semiconductor
説明 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 1422490 pcs
価格
(US $)
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モデル EMD59T2R メーカー LAPIS Semiconductor
説明 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 1422490 pcs データシート EMT6 T2R Taping SpecEMD59
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 150mV @ 500µA, 5mA トランジスタ型式 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ EMT6 シリーズ -
抵抗器ベース(R2) 47 kOhms 抵抗器 - ベース(R1) 10 kOhms
電力 - 最大 150mW パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666 他の名前 EMD59T2RTR
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 250MHz 詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 80 @ 5mA, 10V 電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA

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