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R6006ANDTL

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モデル R6006ANDTL
メーカー LAPIS Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 600V 6A CPT
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 80690 pcs
価格
(US $)
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モデル R6006ANDTL メーカー LAPIS Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 600V 6A CPT フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 80690 pcs データシート R6006AND
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 1mA
Vgs(最大) ±30V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ CPT3 シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.2 Ohm @ 3A, 10V 電力消費(最大) 40W (Tc)
パッケージング Cut Tape (CT) パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前 R6006ANDTLCT 運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 460pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 15nC @ 10V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V 詳細な説明 N-Channel 600V 6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6A (Tc)

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