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RDD022N50TL

RDD022N50TL
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モデル RDD022N50TL
メーカー LAPIS Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 500V CPT
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 90550 pcs
価格
(US $)
2500 pcs
$0.208

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目標価格:(USD)
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Product parameter

モデル RDD022N50TL メーカー LAPIS Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 500V CPT フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 90550 pcs データシート RDD022N50
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4.7V @ 1mA
Vgs(最大) ±30V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ CPT3 シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 5.4 Ohm @ 1A, 10V 電力消費(最大) 20W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 168pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 6.7nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 500V
詳細な説明 N-Channel 500V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2A (Tc)

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