RDD022N50TL
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| モデル | RDD022N50TL |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Semiconductor |
| 説明 | MOSFET N-CH 500V CPT |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 (US $) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.208 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | RDD022N50TL | メーカー | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 500V CPT | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 90550 pcs | データシート | RDD022N50 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS(TH)(最大) | 4.7V @ 1mA |
| Vgs(最大) | ±30V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | CPT3 | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.4 Ohm @ 1A, 10V | 電力消費(最大) | 20W (Tc) |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 168pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.7nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500V |
| 詳細な説明 | N-Channel 500V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A (Tc) |
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IRFR9214TRR - メーカー:
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MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK - 株式:
86123
