RFN10TF6S
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| モデル | RFN10TF6S |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Semiconductor |
| 説明 | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.291 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | RFN10TF6S | メーカー | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 79876 pcs | データシート | RFN10TF6S |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.55V @ 10A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600V | サプライヤデバイスパッケージ | TO-220NFM |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) | シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 50ns | パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 | 動作温度 - ジャンクション | 150°C (Max) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | ダイオードタイプ | Standard |
| 詳細な説明 | Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220NFM | 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10µA @ 600V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 10A | Vrと、F @キャパシタンス | - |
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