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RFN2LAM6STR

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モデル RFN2LAM6STR
メーカー LAPIS Semiconductor
説明 DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 262330 pcs
価格
(US $)
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モデル RFN2LAM6STR メーカー LAPIS Semiconductor
説明 DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 262330 pcs データシート RFN2LAM6SPMDTM TR Taping Spec
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.55V @ 1.5A
電圧 - 逆(VR)(最大) 600V サプライヤデバイスパッケージ PMDTM
速度 Fast Recovery = 200mA (Io) シリーズ -
逆回復時間(trrの) 35ns パッケージング Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース SOD-128 他の名前 RFN2LAM6SCT
動作温度 - ジャンクション 150°C (Max) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 20 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant ダイオードタイプ Standard
詳細な説明 Diode Standard 600V 1.5A Surface Mount PMDTM 電流 - 漏れ@ Vrとリバース 1µA @ 600V
電流 - 平均整流(イオ​​) 1.5A Vrと、F @キャパシタンス -

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