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SCT3030ALGC11

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モデル SCT3030ALGC11
メーカー LAPIS Semiconductor
説明 MOSFET NCH 650V 70A TO247N
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 3732 pcs
価格
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1 pcs
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モデル SCT3030ALGC11 メーカー LAPIS Semiconductor
説明 MOSFET NCH 650V 70A TO247N フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 3732 pcs データシート SCT3030ALTO-247N Taping Spec
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 5.6V @ 13.3mA
Vgs(最大) +22V, -4V 技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247N シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 39 mOhm @ 27A, 18V 電力消費(最大) 262W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース TO-247-3
運転温度 175°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1526pF @ 500V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 104nC @ 18V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 18V ソース電圧(VDSS)にドレイン 650V
詳細な説明 N-Channel 650V 70A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 70A (Tc)

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