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UMD4NTR

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モデル UMD4NTR
メーカー LAPIS Semiconductor
説明 TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 1344311 pcs
価格
(US $)
3000 pcs6000 pcs15000 pcs30000 pcs75000 pcs
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モデル UMD4NTR メーカー LAPIS Semiconductor
説明 TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 1344311 pcs データシート EMD4, UMD4NUMT6 TR Taping Spec
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA トランジスタ型式 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ UMT6 シリーズ -
抵抗器ベース(R2) 47 kOhms 抵抗器 - ベース(R1) 4.7 kOhms, 10 kOhms
電力 - 最大 150mW, 120mW パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 周波数 - トランジション 250MHz
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6 Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 68 @ 5mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA 電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA
ベース部品番号 *MD4

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