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CSD16570Q5BT

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モデル CSD16570Q5BT
メーカー N/A
説明 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 52421 pcs
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モデル CSD16570Q5BT メーカー N/A
説明 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 52421 pcs データシート
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - テスト 14000pF @ 12V
電圧 - ブレークダウン 8-VSON (5x6) 同上@ VGS(TH)(最大) 0.59 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(最大) 4.5V, 10V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ NexFET™ RoHSステータス Digi-Reel®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 100A (Ta) 偏光 8-PowerTDFN
他の名前 296-38335-6 運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 12 Weeks 製造元の部品番号 CSD16570Q5BT
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 250nC @ 10V IGBTタイプ ±20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 1.9V @ 250µA FET特長 N-Channel
拡張された説明 N-Channel 25V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6) ソース電圧(VDSS)にドレイン -
説明 MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 25V
静電容量比 3.2W (Ta), 195W (Tc)

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