TPS1100DG4
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| モデル | TPS1100DG4 |
|---|---|
| メーカー | N/A |
| 説明 | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 525 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.401 | |||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | TPS1100DG4 | メーカー | N/A |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 77847 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | +2V, -15V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180 mOhm @ 1.5A, 10V | 電力消費（最大） | 791mW (Ta) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 28 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.45nC @ 10V |
| FETタイプ | P-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.7V, 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 15V |
| 詳細な説明 | P-Channel 15V 1.6A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.6A (Ta) |
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