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DS1230Y-120IND

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モデル DS1230Y-120IND
メーカー Maxim Integrated
説明 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
In Stock 5650 pcs
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モデル DS1230Y-120IND メーカー Maxim Integrated
説明 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
株式 5650 pcs データシート DS1230Y, AB
プロダクト 集積回路 (ic) 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 120ns
電源電圧 - 4.5 V ~ 5.5 V 技術 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
サプライヤデバイスパッケージ 28-EDIP シリーズ -
パッケージング Tube パッケージ/ケース 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
運転温度 -40°C ~ 85°C (TA) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) メモリタイプ Non-Volatile
記憶容量 256Kb (32K x 8) メモリインタフェース Parallel
メモリ形式 NVSRAM 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant
詳細な説明 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 120ns 28-EDIP ベース部品番号 DS1230Y
アクセス時間 120ns

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