1N5415
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| モデル | 1N5415 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 説明 | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | 132 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.503 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | 1N5415 | メーカー | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 12348 pcs | データシート | 1N5415 - 20 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - ピーク逆（最大） | Standard |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 3A | シリーズ | - |
| RoHSステータス | Bulk | 逆回復時間（trrの） | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| もし、F @抵抗 | - | 偏光 | B, Axial |
| 動作温度 - ジャンクション | 150ns | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 7 Weeks |
| 製造元の部品番号 | 1N5415 | 拡張された説明 | Diode Standard 50V 3A Through Hole |
| ダイオード構成 | 1µA @ 50V | 説明 | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1.5V @ 9A | 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 50V |
| Vrと、F @キャパシタンス | -65°C ~ 175°C |
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