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モデル 1N5804US
メーカー Microsemi
説明 DIODE GEN PURP 100V 1A D5A
フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
In Stock 13052 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$4.148$3.771$3.206$2.734

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Product parameter

モデル 1N5804US メーカー Microsemi
説明 DIODE GEN PURP 100V 1A D5A フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
株式 13052 pcs データシート 1N5802, 04US, 06US and URS
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 875mV @ 1A
電圧 - 逆(VR)(最大) 100V サプライヤデバイスパッケージ D-5A
速度 Fast Recovery = 200mA (Io) シリーズ -
逆回復時間(trrの) 25ns パッケージング Bulk
パッケージ/ケース SQ-MELF, A 動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 175°C
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 7 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant
ダイオードタイプ Standard 詳細な説明 Diode Standard 100V 1A Surface Mount D-5A
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 1µA @ 100V 電流 - 平均整流(イオ​​) 1A
Vrと、F @キャパシタンス 25pF @ 10V, 1MHz

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