1N646-1
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| モデル | 1N646-1 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | 596 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.563 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | 1N646-1 | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 60120 pcs | データシート | 1N646-1 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1V @ 400mA |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 300V | サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | シリーズ | - |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ダイオードタイプ | Standard | 詳細な説明 | Diode Standard 300V 400mA Through Hole DO-35 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50nA @ 300V | 電流 - 平均整流（イオ） | 400mA |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
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