2N2222AE3
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| モデル | 2N2222AE3 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | SMALL-SIGNAL BJT |
| フリーステータス/ RoHS状態 | RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | 2N2222AE3 | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | SMALL-SIGNAL BJT | フリーステータス/ RoHS状態 | RoHS準拠 |
| 株式 | 4311 pcs | データシート | 2N2221A, 22A(L,UA,UB,UBC) |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 50V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 1V @ 50mA, 500mA | トランジスタ型式 | NPN |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-18 | シリーズ | - |
| RoHSステータス | RoHS Compliant | 電力 - 最大 | 500mW |
| パッケージ/ケース | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | 運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 周波数 - トランジション | - |
| 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 | Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 100 @ 150mA, 10V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 50nA | 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 800mA |
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