2N2432UB
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| モデル | 2N2432UB |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | BJTS |
| フリーステータス/ RoHS状態 |
| 価格 （US $） | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.446 | |||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | 2N2432UB | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | BJTS | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 株式 | 4939 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 30V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 150mV @ 500µA, 10mA | トランジスタ型式 | NPN |
| サプライヤデバイスパッケージ | UB | シリーズ | - |
| 電力 - 最大 | 360mW | パッケージ/ケース | 4-SMD, No Lead |
| 他の名前 | 2N2432UBMS | 運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 周波数 - トランジション | - |
| 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 360mW Surface Mount UB | Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 80 @ 1mA, 5V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 10nA | 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 100mA |
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