2N5015
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| モデル | 2N5015 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| フリーステータス/ RoHS状態 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | 2N5015 | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | NPN SILICON TRANSISTOR | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 株式 | 5559 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1000V |
| トランジスタ型式 | NPN | サプライヤデバイスパッケージ | TO-5 |
| シリーズ | - | 電力 - 最大 | 1W |
| パッケージ/ケース | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | 運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 周波数 - トランジション | - |
| 詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 1000V 200mA 1W Through Hole TO-5 | Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 30 @ 20mA, 10V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 10nA (ICBO) | 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 200mA |
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15575
