2N5116
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| モデル | 2N5116 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | P CHANNEL JFET |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | 2N5116 | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | P CHANNEL JFET | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 4008 pcs | データシート | 2N5114-16, Mx2N5114-16 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - イド@カットオフ（VGSオフ） | 4V @ 1nA |
| 電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS） | 30V | サプライヤデバイスパッケージ | TO-18 |
| シリーズ | Military, MIL-PRF-19500 | 抵抗 - RDS（ON） | 175 Ohms |
| 電力 - 最大 | 500mW | パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | 他の名前 | 2N5116MS |
| 運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 27pF @ 15V | FETタイプ | P-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 詳細な説明 | JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18 |
| 電流 - 電圧Vds（VGS = 0）@ドレイン（IDSS） | 25mA @ 15V |
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