2N6849
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| モデル | 2N6849 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | 2N6849 | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39 | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 4918 pcs | データシート | 2N6849 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-39 | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 320 mOhm @ 6.5A, 10V | 電力消費（最大） | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | TO-205AF Metal Can |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 34.8nC @ 10V | FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | 詳細な説明 | P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.5A (Tc) |
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