2N7334
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| モデル | 2N7334 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 説明 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | 2N7334 | メーカー | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 4569 pcs | データシート | 2N7334 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - テスト | - |
| 電圧 - ブレークダウン | MO-036AB | 同上@ VGS（TH）（最大） | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
| シリーズ | - | RoHSステータス | Bulk |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1A | 電力 - 最大 | 1.4W |
| 偏光 | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号 | 2N7334 | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 60nC @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4V @ 250µA | FET特長 | 4 N-Channel |
| 拡張された説明 | Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB | ソース電圧（VDSS）にドレイン | Standard |
| 説明 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100V |
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