APT1003RBLLG
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| モデル | APT1003RBLLG |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | APT1003RBLLG | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 4589 pcs | データシート | APT1003R(B,S)LL |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±30V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] | シリーズ | POWER MOS 7® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3 Ohm @ 2A, 10V | 電力消費（最大） | 139W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 694pF @ 25V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 34nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000V |
| 詳細な説明 | N-Channel 1000V 4A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-247 [B] | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) |
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