APT80SM120B
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| モデル | APT80SM120B |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | POWER MOSFET - SIC |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | APT80SM120B | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | POWER MOSFET - SIC | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 5967 pcs | データシート | APT80SM120(B,S) |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +25V, -10V | 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55 mOhm @ 40A, 20V | 電力消費（最大） | 555W (Tc) |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 235nC @ 20V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V | 詳細な説明 | N-Channel 1200V 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
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