APTM100A23SCTG

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| モデル | APTM100A23SCTG |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 (US $) | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | APTM100A23SCTG | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 5471 pcs | データシート | Power Products CatalogAPTM100A23SCTG |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 5mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP4 | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 270 mOhm @ 18A, 10V | 電力 - 最大 | 694W |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | SP4 |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 8700pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 308nC @ 10V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET特長 | Silicon Carbide (SiC) |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000V (1kV) | 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 36A |
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