APTM100H18FG

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| モデル | APTM100H18FG |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 (US $) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $78.134 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | APTM100H18FG | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 451 pcs | データシート | APTM100H18FGPower Products Catalog |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 5mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP6 | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 210 mOhm @ 21.5A, 10V | 電力 - 最大 | 780W |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | SP6 |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 10400pF @ 25V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 372nC @ 10V | FETタイプ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET特長 | Standard | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000V (1kV) |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP6 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 43A |
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