APTSM120AM14CD3AG
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| モデル | APTSM120AM14CD3AG |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | POWER MODULE - SIC |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $155.81 | |||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | APTSM120AM14CD3AG | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | POWER MODULE - SIC | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 210 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 9mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11 mOhm @ 180A, 20V | 電力 - 最大 | 2140W |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | Module |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 23000pF @ 1000V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1224nC @ 20V | FETタイプ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET特長 | Silicon Carbide (SiC) | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V (1.2kV) |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 337A (Tc) 2140W Chassis Mount Module | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 337A (Tc) |
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