JAN1N3600

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| モデル | JAN1N3600 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 説明 | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 (US $) | 204 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.98 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | JAN1N3600 | メーカー | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 15516 pcs | データシート | 1N3600 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - ピーク逆(最大) | Standard |
| 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 200mA (DC) | 電圧 - ブレークダウン | DO-7 |
| シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/231 | RoHSステータス | Bulk |
| 逆回復時間(trrの) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | もし、F @抵抗 | - |
| 偏光 | DO-204AA, DO-7, Axial | 他の名前 | 1086-16797 1086-16797-MIL |
| 動作温度 - ジャンクション | 4ns | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks |
| 製造元の部品番号 | JAN1N3600 | 拡張された説明 | Diode Standard 50V 200mA (DC) Through Hole DO-7 |
| ダイオード構成 | 100nA @ 50V | 説明 | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1V @ 200mA | 電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 50V |
| Vrと、F @キャパシタンス | -65°C ~ 175°C |
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